※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
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시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영) |
진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
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1차시 | 반도체 메모리 제품시장 조사하기 - 1. Intro. 메모리 반도체 산업 | - 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다. - 파악된 자료, 시장조사기관의 분석자료 및 인터넷의 정보를 통해 개발 제품에 대한 전반적인 시장 동향을 분석할 수 있다. - 시장동향 분석결과를 바탕으로 분석보고서를 작성할 수 있다. |
27분 |
2차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 2. Intro. 메모리 종류와 원리, DRAM 강의 개요 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
28분 |
3차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 3. Device : DRAM Device 구조, MOSCAP1 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
32분 |
4차시 | 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 4. Device : MOSCAP2 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
28분 |
5차시 | 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 5. Device : MOSFET | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
30분 |
6차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 6. Device : MOSFET2 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
34분 |
7차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 7. Device : Short Channel Effect 1 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
29분 |
8차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 8. Device : Short Channel Effect 2 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
27분 |
9차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 9. Device : Scaling Rule | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
27분 |
10차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 10. Device : Capacitor | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
30분 |
11차시 | 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 11. Architecture (1) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
34분 |
12차시 | 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 12. Architecture (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
30분 |
13차시 | 반도체 메모리 공정흐름도 해석하기 - 13. Fabrication Process | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
28분 |
14차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 14. New Tech | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
32분 |
15차시 | 반도체 메모리 제품시장 조사하기 - 15. Intro. Flash Market, Performance | - NAND Flash 메모리 산업을 이해하고 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다. - NAND Flash 메모리의 간략한 역사를 이해하고 고객의 요구사항과 진입 시장의 규모를 파악할 수 있다. |
40분 |
16차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 16. NAND Flash Single Cell | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
40분 |
17차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 17. NAND Flash Array Structure | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
54분 |
18차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 18. NAND vs DRAM | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
29분 |
19차시 | 반도체 메모리 단위소자 개발하기 - 19. V-NAND & Summary | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. - 소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. - 측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
29분 |
번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
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10 | 반도체 | 좋은 강의 감사합니다. | 2024-03-28 | 49 |
9 | 반도체 | 공정에 대해 심도있게 알 수 있었습니다. | 2024-03-26 | 65 |
8 | 반도체 | 잘 들었습니다 | 2024-03-05 | 70 |
7 | 반도체 | 반도체 공정이론 후기 | 2024-02-29 | 78 |
6 | 반도체 | 도움이됐습니다 | 2024-02-20 | 95 |
5 | 반도체 | 굳 | 2024-02-14 | 83 |
4 | 반도체 | 반도체 환경 설비 직무향상에 도움이됩니다 | 2024-01-26 | 109 |
3 | 반도체 | 막연했던 그림이 구체적으로.... | 2023-12-03 | 174 |
2 | 반도체 | 교육 | 2023-11-06 | 158 |
1 | 반도체 | 유익한 정보를 많이 배웠습니다. | 2023-09-21 | 243 |