총18차시 4주 과정
김기세 외 3명 선생님
수강대상
직무영역
연구개발
생산/제조
일반/영업/마케팅
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※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
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훈련목표
- 반도체를 이해하기 위한 물질 기초 이론을 학습한다.
- 트렌드에 따라 변화해온 소자의 종류 및 동작 원리를 학습한다.
- 각 소자의 특성 및 실제 구성, 구조를 학습한다.
- 반도체 소자 기초 이해과정을 통하여 업무 내에서 직무 능력을 향상시킬 수 있다.
훈련대상
- 반도체 관련 기업의 업무를 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
- 반도체 관련 기업에서 영업을 진행하고 있는 사원~부장, 수석급
- 반도체와 유사한 공정 Process를 진행하고 있는 기업의 사원~부장, 수석급
- 반도체 시장, 스마트폰 시장, IT 시장 등 IT전반에 걸친 정보가 필요한 기업의 사원 ~ 부장, 수석급
교수진소개
내용전문가
김준호 선생님
학력
미국 TOP 10 대학원 출신
경력
현) 엘캠퍼스 교강사
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
전) 대기업 반도체 선행 연구 개발팀 연구원 3년
전) 연구 개발 담당 및 공정 프로세스 담당
내용전문가
김창호 선생님
학력
미국 Top 20 MBA 출신
경력
전) 국내 대기업 11년 근무
현) 엘캠퍼스 교강사
현) 엘캠퍼스 교강사
내용전문가
조남면 선생님
학력
- 서울대학교 무기재료공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 13년 3개월
- 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
- 삼성전자 공정개발팀 ( 13 년 3 개월 )
내용전문가
김기세 선생님
학력
- 인하대학교 전자공학과( 석사졸업 )
경력
총 경력 : 30년 0개월
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
- 페어차일드 코리아 ( 25 년 )
- 삼성전자 ( 4 년 11 개월 )
수료기준
| 수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
|---|---|---|
| 시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영) |
| 진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
훈련내용
| 차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
|---|---|---|---|
| 1차시 | 물질 기초 이론 | -전하와 전류의 개념을 설명할 수 있다. -전기 에너지, 전압과 전계의 관계를 설명할 수 있다. |
34분 |
| 2차시 | 물질 기초 이론 (2) | -저항, 축전기, 유도기의 개념을 설명할 수 있다. -공유결합과 옥텟규칙을 파악할 수 있다. |
42분 |
| 3차시 | 물질 기초 이론 (3) | -오비탈의 개념과 전자의 에너지 채움을 파악할 수 있다. -에너지 밴드 모델을 이해하고 Filled state, Empty state의 특성을 설명할 수 있다. |
30분 |
| 4차시 | 반도체의 정의 | -반도체의 도핑에 대해 설명할 수 있다. -반도체 내의 캐리어 분포에 대해 설명할 수 있다. |
43분 |
| 5차시 | 반도체 기초 이론 | -캐리어의 이동에 대해 설명할 수 있다. -재결합-생성이 무엇인지 설명할 수 있다. |
29분 |
| 6차시 | 단위소자 개발하기 - Diode | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
39분 |
| 7차시 | 단위소자 개발하기 - Diode (2) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
39분 |
| 8차시 | 단위소자 개발하기 - BJT | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
29분 |
| 9차시 | 단위소자 개발하기 - BJT (2) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
26분 |
| 10차시 | 단위소자 개발하기 - MOSFET | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
27분 |
| 11차시 | 단위소자 개발하기 - MOSFET (2) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
38분 |
| 12차시 | 단위소자 개발하기 -MOSFET (3) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
35분 |
| 13차시 | 단위소자 개발하기 - MOSFET (4) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
32분 |
| 14차시 | 단위소자 개발하기 - 트랜지스터의 응용, 실제 소자 제작 및 구성 | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
33분 |
| 15차시 | 단위소자 개발하기 - 실제 소자 제작 및 구성 (2) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
27분 |
| 16차시 | 단위소자 개발하기 - DRAM | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
38분 |
| 17차시 | 단위소자 개발하기 - SRAM, Flash memory | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
30분 |
| 18차시 | 단위소자 개발하기 - Flash memory (2) | -소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. -소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. -소자분석 장비의 사용법을 해석하고 적용할 수 있다. -소자 특성 측정 데이터의 불량 여부를 파악할 수 있다. -측정 데이터를 근거로 표준화된 기법에 의거, 장/단기 공정 특성산포를 예측하고 문서화할 수 있다. |
30분 |
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| 번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
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| 7 | 반도체 | 반도체 공정이론 후기 | 2024-02-29 | 78 |
| 6 | 반도체 | 도움이됐습니다 | 2024-02-20 | 95 |
| 5 | 반도체 | 굳 | 2024-02-14 | 83 |
| 4 | 반도체 | 반도체 환경 설비 직무향상에 도움이됩니다 | 2024-01-26 | 109 |
| 3 | 반도체 | 막연했던 그림이 구체적으로.... | 2023-12-03 | 174 |
| 2 | 반도체 | 교육 | 2023-11-06 | 158 |
| 1 | 반도체 | 유익한 정보를 많이 배웠습니다. | 2023-09-21 | 243 |
유의사항
