※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
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시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영) |
진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
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1차시 | Isolation Technology_I (Device Isolation 과 LOCOS)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
31분 |
2차시 | Isolation Technology_II (LOCOS 문제점과 STI)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
29분 |
3차시 | Gate Technology_I (MOSFET Scaling)_공정흐름도 해석하기 | - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정 흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
25분 |
4차시 | Gate Technology_II (Nanoscale MOSFET)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 28분 |
5차시 | Gate Technology_III (Gate Dielectrics)_단위공정 최적화하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 31분 |
6차시 | Gate Technology_IV (Gate Electrode)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 30분 |
7차시 | Gate Technology_V (Dual Metal Gate / Shallow Junction)_공정흐름도 해석하기 | - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. | 31분 |
8차시 | Gate Technology_VI (Channel Engineering)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 30분 |
9차시 | Gate Technology_VII (3D MOSFET)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. - 소자들의 검증 패턴을 해석하고 적용할 수 있다. |
29분 |
10차시 | Capacitor Technology_I (DRAM 동작)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 32분 |
11차시 | Capacitor Technology_II (Capacitor 구조 발전)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 34분 |
12차시 | Floating Gate Technology_I (Flash Cell 동작)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 28분 |
13차시 | Floating Gate Technology_II (Flash Cell 기술 개발)_단위소자 개발하기 | - 소자들의 특성 항목과 기준을 해석할 수 있다. | 29분 |
14차시 | Interconnect Technology_I (Interconnect 및 Contact 기술)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 29분 |
15차시 | Interconnect Technology_II (Cu Interconnect 및 Low-k Dielectrics)_단위공정 최적화하기 | - 공정 개선 요구 사항을 확인하여 성능 개선을 위한 재료 선택 및 공정 방법을 도출할 수 있다. | 36분 |
번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
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10 | 반도체 | 좋은 강의 감사합니다. | 2024-03-28 | 49 |
9 | 반도체 | 공정에 대해 심도있게 알 수 있었습니다. | 2024-03-26 | 65 |
8 | 반도체 | 잘 들었습니다 | 2024-03-05 | 70 |
7 | 반도체 | 반도체 공정이론 후기 | 2024-02-29 | 78 |
6 | 반도체 | 도움이됐습니다 | 2024-02-20 | 95 |
5 | 반도체 | 굳 | 2024-02-14 | 83 |
4 | 반도체 | 반도체 환경 설비 직무향상에 도움이됩니다 | 2024-01-26 | 109 |
3 | 반도체 | 막연했던 그림이 구체적으로.... | 2023-12-03 | 174 |
2 | 반도체 | 교육 | 2023-11-06 | 158 |
1 | 반도체 | 유익한 정보를 많이 배웠습니다. | 2023-09-21 | 243 |