※교육기간은 해당 회사 인사담당자의 승인 여부에 따라 달라질 수 있습니다.
수료 항목 | 수료 기준 | 평가 방법 |
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시험 | * 환급(사업주훈련) 과정 100점 만점 기준 60점 이상 * 비환급(일반) 과정 - 시험 있는 과정 : 시험 응시(점수 무관) - 시험 없는 과정 : 시험 없음(진도율로 수료) ※ 기업의 요청이 있을 경우, 수료기준은 다를 수 있습니다. |
- 최종평가 선다형 문제 20문항 출제 총 100점 만점, 배점 각 5점. (총 100% 반영) |
진도율 | * 환급(사업주훈련) 과정 진도율 100% 기준, 80% 이상 시 수료 가능 * 비환급(일반) 과정 진도율 100% 기준, 100% 이상 시 수료 가능 |
차시별 총 학습시간의 50% 이상 학습한 차시만 해당 과정의 총 진도율에 반영됩니다. |
차시 | 차시명 | 학습 목표 | 강의 시간 |
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1차시 | 공정흐름도 해석하기 - 1. 반도체 기초 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
34분 |
2차시 | 공정흐름도 해석하기- 2. 반도체 소자 기초 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
32분 |
3차시 | 공정흐름도 해석하기- 3. 반도체 소자 기초 (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
32분 |
4차시 | 공정흐름도 해석하기- 4. 공정 관련 기초 | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
28분 |
5차시 | 공정흐름도 해석하기- 5. 공정 관련 기초 (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
39분 |
6차시 | 공정흐름도 해석하기 - 6. Deposition & Metallization | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
32분 |
7차시 | 공정흐름도 해석하기 - 7. Deposition & Metallization (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
36분 |
8차시 | 공정흐름도 해석하기 - 8. Deposition & Metallization (3) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
29분 |
9차시 | 공정흐름도 해석하기 - 9. Deposition & Metallization (4) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
35분 |
10차시 | 공정흐름도 해석하기 - 10. Photolithography | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
31분 |
11차시 | 공정흐름도 해석하기 - 11. Photolithography (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
31분 |
12차시 | 공정흐름도 해석하기 - 12. Photolithography (3) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
32분 |
13차시 | 공정흐름도 해석하기 - 13. Etching | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
30분 |
14차시 | 공정흐름도 해석하기 - 14. Etching (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
41분 |
15차시 | 공정흐름도 해석하기- 15. Cleaning | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
39분 |
16차시 | 공정흐름도 해석하기 - 16. Layout, DNI & Oxidation | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
35분 |
17차시 | 공정흐름도 해석하기 - 17. DNI & Oxidation (2) | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
36분 |
18차시 | 공정흐름도 해석하기 - 18. CMP | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
36분 |
19차시 | 공정흐름도 해석하기 - 19. Measurement & Inspection | - 웨이퍼 종류와 특성을 해석하고 설명할 수 있다. - MOSFET 제작 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 메탈배선의 적층 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 패드(Pad) 및 보호막(Passivation Layer)의 구조를 해석하고 설명할 수 있다. - 공정흐름도로부터 필요한 단위 공정을 파악할 수 있다. |
37분 |
번호 | 과정 분류 | 제목 | 등록일 | 조회수 |
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10 | 반도체 | 좋은 강의 감사합니다. | 2024-03-28 | 50 |
9 | 반도체 | 공정에 대해 심도있게 알 수 있었습니다. | 2024-03-26 | 65 |
8 | 반도체 | 잘 들었습니다 | 2024-03-05 | 70 |
7 | 반도체 | 반도체 공정이론 후기 | 2024-02-29 | 78 |
6 | 반도체 | 도움이됐습니다 | 2024-02-20 | 95 |
5 | 반도체 | 굳 | 2024-02-14 | 83 |
4 | 반도체 | 반도체 환경 설비 직무향상에 도움이됩니다 | 2024-01-26 | 109 |
3 | 반도체 | 막연했던 그림이 구체적으로.... | 2023-12-03 | 174 |
2 | 반도체 | 교육 | 2023-11-06 | 158 |
1 | 반도체 | 유익한 정보를 많이 배웠습니다. | 2023-09-21 | 243 |